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CENTRALSEMI二極管CPD48V-CBAT54-WN

產品介紹

CBAT54 系列硅肖特基二極管以其獨特的性能特點,成為電子工程師們在設計小型化、集成度高電子設備時的理想選擇。它們的小巧尺寸、優(yōu)良的電性能和可靠的質量,使得它們能夠廣泛應用于各種電子設備中,為電路的穩(wěn)定性和性能提供有力保障。

性能特點

  • 裸片意味著二極管的核心部分未經封裝,芯片尺寸小且緊湊,為后續(xù)的封裝提供了便利。
  • CBAT54 系列二極管的尺寸為 13.777 X 13.777 密耳(約等于 0.35mm X 0.35mm),這是一個非常小的尺寸,使得該系列二極管非常適合用于空間受限的電子設備中。
  • 該系列二極管為肖特基二極管,具有開關速度快、正向壓降低的特點。其額定電流小于 1A,但具體型號可能有所不同,如 0.2A 等。
  • 特定型號的 CBAT54 系列二極管具有 0.2A 的額定正向電流和 30V 的反向擊穿電壓。這些參數(shù)確保了二極管在正常工作條件下的穩(wěn)定性和可靠性。
  • 采用 SOT-23 表面貼裝封裝,使得二極管能夠方便地安裝在電路板上,提高生產效率,同時減小了電路板的占用空間。
  • 硅肖特基二極管使用硅材料制成,硅是一種廣泛應用的半導體材料,具有優(yōu)良的電性能和穩(wěn)定性。
  • 由于其優(yōu)良的電性能、小巧的尺寸和可靠的質量,CBAT54 系列硅肖特基二極管在小型化、集成度高的電子設備中具有廣泛的應用前景。

技術參數(shù)

產地:美國

連續(xù)反向電壓:30 V

連續(xù)正向電流:200 mA

峰值重復正向電流:300 mA

正向浪涌電流,tp=10 ms:600 mA

功率耗散:350 mW

工作溫度:-65 至 +150 °C

存儲接面溫度:-65 至 +150 °C

熱阻:357 °C/W

包裝:晶圓@128,840(估計值,芯片數(shù)量將根據(jù)探測情況而變化)

貼裝:表面貼裝

產品尺寸


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